규화금속 나노와이어의 제조방법 Fabrication Method of Metal Silicide Nanowire

Cited 0 time in webofscience Cited 0 time in scopus
  • Hit : 191
  • Download : 0
본 발명은 조성을 포함한 상(phase)을 제어할 수 있는 규화금속 나노와이어의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게, 본 발명에 따른 제조방법은 단결정체의 규화금속 나노와이어(I)를 산화 분위기에서 어닐링(annealing)하여 상기 나노와이어(I) 표면에 산화규소층을 형성한 후, 상기 산화규소층을 제거하여 단결정체의 금속-리치(metal-rich)한 규화금속 나노와이어어(II)를 제조하는 특징이 있다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2012-02-08
Application Date
2009-09-02
Application Number
10-2009-0082389
Registration Date
2012-02-08
Registration Number
10-1116697-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/235773
Appears in Collection
CH-Patent(특허)
Files in This Item
There are no files associated with this item.

qr_code

  • mendeley

    citeulike


rss_1.0 rss_2.0 atom_1.0