기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 예비 전극 구조체, 측정 전극 구조체, 및 공정 전극 구조체SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS, SUBSTRATE TREATMENT METHOD, PRELIMINARY ELECTRODE STRUCTURE, MEASURING ELECTRODE STRUCTURE, AND PROCESS ELECTRODE STRUCTURE
본 발명은 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 예비 전극 구조체, 측정 전극 구조체, 및 공정 전극 구조체를 제공한다. 상기 기판 처리 방법은 위치에 따라 다른 홀의 형태를 가진 예비 전극 구조체를 이용하여 홀의 형태에 따른 플라즈마 특성 및 공정 결과 중에서 적어도 하나를 확인하여 홀의 형태를 선택하는 단계, 홀의 밀도가 위치에 따라 서로 다른 측정 전극 구조체를 이용하여 기판을 처리하여 최적 공정 위치를 선택하는 단계, 최적 공정 위치에 대응하는 측정 전극 구조체의 홀의 밀도를 전사하여 공정 전극 구조체를 제공하는 단계, 및 공정 전극 구조체를 이용하여 위치에 따른 공정 불균일성을 보상하는 단계를 포함할 수 있다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2011-12-06
- Application Date
- 2009-04-06
- Application Number
- 10-2009-0029424
- Registration Date
- 2011-12-06
- Registration Number
- 10-1092879-0000
- Appears in Collection
- PH-Patent(특허)
- Files in This Item
- There are no files associated with this item.
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.