규화금속 단결정 나노와이어의 제조방법 및 방향성을 갖는 규화금속 단결정 나노와이어Fabrication Method of Metal Silicide Single Crystalline Nanowire and The Oriented Metal Silicide Single Crystalline Nanowire
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 김봉수 | ko |
| dc.contributor.author | 김시인 | ko |
| dc.contributor.author | 서관용 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T11:24:33Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T11:24:33Z | - |
| dc.date.issued | 2012-11-07 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/233975 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 무-촉매, 무-템플레이트(template-free) 조건으로, 단축 직경의 길이가 엄밀하게 조절되며 기판에 대해 일정한 방향성을 가지며, 기판 상 독립적으로 서 있는(free-standing) 규화철 나노와이어의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 규화철 나노와이어에 관한 것으로, 상세하게, 본 발명에 따른 제조방법은 반응로의 전단부에 위치한 할로겐화철을 함유하는 제1선구물질, 상기 반응로의 후단부에 위치한 규소(Si) 및 탄소(C)를 함유하는 제2선구물질, 상기 반응로의 후단부에 위치한 기판을 불활성 기체가 흐르는 분위기에서 열처리하여 상기 기판 상에 규화철 나노와이어가 제조되며, 상기 제2선구물질의 규소:탄소의 질량비에 의해 상기 기판상 형성되는 상기 규화철 나노와이어의 단축 방향과 장축 방향의 상대적 성장 속도가 제어되는 특징이 있다. | - |
| dc.title | 규화금속 단결정 나노와이어의 제조방법 및 방향성을 갖는 규화금속 단결정 나노와이어 | - |
| dc.title.alternative | Fabrication Method of Metal Silicide Single Crystalline Nanowire and The Oriented Metal Silicide Single Crystalline Nanowire | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 김봉수 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김시인 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 서관용 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2010-0038386 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1200864-0000 | - |
| dc.date.application | 2010-04-26 | - |
| dc.date.registration | 2012-11-07 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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