규화금속 단결정 나노와이어의 제조방법 및 방향성을 갖는 규화금속 단결정 나노와이어 Fabrication Method of Metal Silicide Single Crystalline Nanowire and The Oriented Metal Silicide Single Crystalline Nanowire

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본 발명은 무-촉매, 무-템플레이트(template-free) 조건으로, 단축 직경의 길이가 엄밀하게 조절되며 기판에 대해 일정한 방향성을 가지며, 기판 상 독립적으로 서 있는(free-standing) 규화철 나노와이어의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 규화철 나노와이어에 관한 것으로, 상세하게, 본 발명에 따른 제조방법은 반응로의 전단부에 위치한 할로겐화철을 함유하는 제1선구물질, 상기 반응로의 후단부에 위치한 규소(Si) 및 탄소(C)를 함유하는 제2선구물질, 상기 반응로의 후단부에 위치한 기판을 불활성 기체가 흐르는 분위기에서 열처리하여 상기 기판 상에 규화철 나노와이어가 제조되며, 상기 제2선구물질의 규소:탄소의 질량비에 의해 상기 기판상 형성되는 상기 규화철 나노와이어의 단축 방향과 장축 방향의 상대적 성장 속도가 제어되는 특징이 있다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2012-11-07
Application Date
2010-04-26
Application Number
10-2010-0038386
Registration Date
2012-11-07
Registration Number
10-1200864-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/233975
Appears in Collection
CH-Patent(특허)
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