게르마늄화 코발트 단사정계 단결정 나노와이어 및 그 제조방법

Abstract

본 발명은 게르마늄화 코발트 나노와이어 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 게르마늄화 코발트 나노와이어는 기판 위에 독립적으로 서있는 (freestanding) 형태로 일정한 방향성을 가지며, 단사정계 구조의 게르마늄화 코발트 나노와이어이며, 상온 이상의 큐리 온도를 가지며, 300K에서 강자성 특성을 갖는 게르마늄화 코발트 나노와이어인 특징이 있고, 강한 자기 이방성을 가지며, 나노와이어의 장축 방향이 자화 용이축(magnetic easy axis)인 특징을 가져, 초고속, 대용량, 저전력, 저비용의 차세대 3차원 메모리 소자(memory device)의 개발에 응용할 수 있을 것으로 기대된다.