플래시 메모리 시스템 및 그것의 플래시 변환 계층 설계 방법FLASH MEMORY SYSTEM AND METHOD OF FLASH TRANSLATION LAYER DESIGN THEREOF
본 발명에 따른 플래시 변환 계층의 설계 방법은, 외부의 요청에 따라 논리 주소를 입력받고, 상기 논리 주소에 대응하는 물리 주소를 매핑하되, 상기 주소 매핑은 연속한 논리 주소들 및 상기 논리 주소들에 대응하는 물리 주소들이 하나의 쌍으로 관리된다.FTL, 트리 키, 트리 레코드, 연속 주소
- Assignee
- 삼성전자주식회사,한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2015-06-29
- Application Date
- 2008-10-16
- Application Number
- 10-2008-0101610
- Registration Date
- 2015-06-29
- Registration Number
- 10-1533744-0000
- Appears in Collection
- RIMS Patents
- Files in This Item
- There are no files associated with this item.
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.