금속 나노 구조의 형성 방법 및 전극 구조물의 형성 방법METHODS OF FORMING METAL NANO STRUCTURES AND METHODS OF FORMING ELECTRODE STRUCTURES
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 김봉수 | ko |
| dc.contributor.author | 양시영 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T08:35:33Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T08:35:33Z | - |
| dc.date.issued | 2016-02-24 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/231908 | - |
| dc.description.abstract | 금속 나노 구조의 형성 방법에 있어서, 반응로의 전단부에 일 할로겐화 금속을 포함하는 전구체를 배치한다. 반응로의 후단부에 기판을 배치한다. 반응로의 전단부를 통해 캐리어 가스를 반응로 내부로 공급한다. 반응로 내부를 200oC 내지 450oC의 온도 범위로 가열한다. 캐리어 가스를 통해 전구체를 기판의 표면 상으로 이송시킨다. 저온 기상 공정을 통해 전기적 특성이 우수한 금속 나노 구조를 형성할 수 있다. | - |
| dc.title | 금속 나노 구조의 형성 방법 및 전극 구조물의 형성 방법 | - |
| dc.title.alternative | METHODS OF FORMING METAL NANO STRUCTURES AND METHODS OF FORMING ELECTRODE STRUCTURES | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 김봉수 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 양시영 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2014-0125637 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1598776-0000 | - |
| dc.date.application | 2014-09-22 | - |
| dc.date.registration | 2016-02-24 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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