Ultra-Thin Fin 구조와 그 형성 방법 및 Ultra-Thin FinFET과 그 제조 방법

Abstract

본 발명의 목적은 기존의 FinFET 제조 공정으로 만들 수 있는 Fin보다 더 얇은 두께의 UTFin(Ultra-Thin Fin)를 가진 UTFinFET을 제조하여 종래의 FinFET보다 더욱 향상된 성능의 트랜지스터를 제공하는 것이다.상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 소자는 기판에 수직으로 돌출되며 Si과 SiGe 층으로 이루어진 Fin의 양 측벽에 에피택시(epitaxy)법으로 형성된 두 개의 Si-UTFin를 형성하는 단계를 포함하는 것이 특징이다. 이렇게 형성된 UTFin는 기존 FinFET의 Fin의 역할을 대체하게 된다. 에피택시(epitaxy)법으로 형성된 UTFin는 리소그래피로 형성한 Fin이 갖는 두께의 한계를 극복하고 10 nm 이하의 두께를 갖는 것이 가능하다.