플렉서블 수직형 발광다이오드 및 그 제조방법Flexible vertical light emitting diode and manufacturing method for the same
플렉서블 수직 발광다이오드로서, 플렉서블 기판 상에 형성되며, 서로 이격된 복수 개의 발광다이오드 단위 소자층; 상기 소자층 상부 및 소자층 측면에 노출된 금속전극층을 포함하며, 여기에서 상기 단위 소자층은 n-GaN층, 다중양자우물층(MQW), p-GaN층을 포함하며, 상기 소자층 상부의 금속전극층은 상기 n-GaN층과 오믹컨택을 이루며, 상기 소자층 측면에 노출된 금속전극층은 상기 p-GaN층과 오믹컨택을 이루는 것을 특징으로 하는 플렉서블 수직 발광다이오드가 제공된다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2014-02-06
- Application Date
- 2013-02-07
- Application Number
- 10-2013-0013961
- Registration Date
- 2014-02-06
- Registration Number
- 10-1362516-0000
- Appears in Collection
- MS-Patent(특허)
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