DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 양경훈 | ko |
dc.contributor.author | 이지원 | ko |
dc.date.accessioned | 2017-12-20T07:17:56Z | - |
dc.date.available | 2017-12-20T07:17:56Z | - |
dc.date.issued | 2014-02-19 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/231251 | - |
dc.description.abstract | CMOS 이미지 센서 및 그것의 동작방법이 개시된다. 본 발명의 일실시예 따른 CMOS 이미지 센서의 동작 방법은 광 감지소자가 빛을 흡수하여 축적한 전하를 전달하는 전달 트랜지스터의 게이트 전압을 조절하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일실시예에 따라 광 감지소자가 빛을 흡수하여 전하를 축적하는 동안 전달 트랜지스터의 게이트 전압은 제1 및 제2 전압이 될 수 있으며, 광 감지소자가 빛의 흡수를 종료하고 축적된 전하를 전달하는 동안 전달 트랜지스터의 게이트 전압은 제3 전압이 될 수 있다. 제3 전압이 게이트에 인가된 전달 트랜지스터는 광 감지소자가 불완전 공핍도록 하여 광 감지소자가 전달 트랜지스터의 문턱 전압에 따라 광 전자를 보유할 수 있다. 전달 트랜지스터의 게이트에 제1 및 제3 전압을 인가함에 따라 전달 트랜지스터를 통해서 전달되는 광 전자의 양에 대한 전달 트랜지스터의 문턱 전압의 영향은 서로 상쇄될 수 있다. | - |
dc.title | CMOS 이미지 센서 및 그것의 동작 방법 | - |
dc.title.alternative | CMOS image sensor and operation method thereof | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 양경훈 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 이지원 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2012-0072410 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1367184-0000 | - |
dc.date.application | 2012-07-03 | - |
dc.date.registration | 2014-02-19 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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