13족 원소의 질화물 양자점을 제조하기 위한단일선구물질, 이의 제조방법 및 이를 이용한 13족 원소의질화물 양자점의 제조방법 Single-Source Precursors for 13 Group-Nitride QuantumDot, Process for Preparing Them and Process forPreparing 13 Group-Nitride Quantum Dot Employing Them

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본 발명은 13족 원소의 질화물 양자점을 제조하기 위한 단일선구물질, 이의 제조방법 및 이를 이용한 13족 원소의 질화물 양자점의 제조방법에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명은 13족 원소의 질화물 양자점을 제조하기 위한 단일선구물질로서, 13족 원소가 질소원인 아자이드(azide) 및 실릴아민과 결합되어 있는 화합물(Ⅰ)과, 13족 원소의 클로라이드와 유기염기로부터 전기 단일선구물질을 제조하는 방법 및 이 선구물질을 열분해하여 13족 원소의 질화물 양자점을 제조하는 방법을 제공한다. 본 발명의 단일선구물질은 하나의 물질 내에 제 13족 원소의 공급원과 질소의 공급원을 동시에 보유하고 있는 바, 두 원소의 당량을 따로 조절할 필요가 없으며, 본 발명의 단일선구물질이 열에 의하여 분해되는 경우 13족 원소-질소의 결합 중심과 함께 형성되는 부산물이 휘발성 물질이므로, 열분해 후 쉽게 제거될 수 있다는 특징을 가지고 있다. 또한, 본 발명의 단일선구물질은 13족 원소-탄소 결합을 가지고 있지 않기 때문에, 양자점이 형성되었을 때 탄소의 오염을 최소화시킬 수 있다. 뿐만 아니라, 본 발명에 의하여 13족 원소의 질화물 양자점을 용액상에서 화학적인 방법으로 제조할 수 있게 됨에 따라, 종래의 방법에 비하여 저온에서 질화물 양자점을 대량으로 생산할 수 있게 되었다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2004-10-19
Application Date
2001-07-31
Application Number
10-2001-0046353
Registration Date
2004-10-19
Registration Number
10-0454650-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/231006
Appears in Collection
CH-Patent(특허)
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