기판 처리 장치 및 기판 처리 방법SUBSTRATE TREATMNET APPARATUS AND SUBSTRATE TREATMNET METHOD
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다. 이 장치는 RF 전력을 공급하는 제1 전원부, 제1 전원부와 직렬 연결되는 제1 정합회로부, 진공을 형성하는 챔버부, 제 1 정합회로부와 전기적으로 연결되고 챔버부 내부에 배치되는 전극부, 전극부의 표면에 형성된 다이아몬드라이크카본층(diamond like carbon layer:DLC layer), 및 다이아몬드라이크카본(DLC) 층에서 이온이 입사하여 중성화된 중성빔을 통과시키는 중성빔 추출부를 포함한다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2010-07-05
- Application Date
- 2008-08-06
- Application Number
- 10-2008-0077082
- Registration Date
- 2010-07-05
- Registration Number
- 10-0969520-0000
- Appears in Collection
- PH-Patent(특허)
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