CIGS 광흡수층 제조방법 및 CIGS 광흡수층을포함하는 태양전지.CIGS absorber layer fabrication method and solar cell including CIGS absorber layer

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본 발명은 CIGS 광흡수층 제조방법 및 CIGS 광흡수층을 포함하는 태양전지에 관한 것으로 구리인듐(CuIn), 구리갈륨(CuGa) 및 셀레나이드 화합물을 기판의 상부에 증착하여 전구체를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 전구체를 열처리하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면 2개의 금속 합금 타겟과 1개의 셀레나이드 화합물 타켓을 동시에 스퍼터링하거나 순차적으로 적층하여 복합 전구체를 형성한 후, 이를 유독성 기체인 셀렌화수소(H2Se)를 사용하지 않고 셀레늄 분위기에서 열처리하여 CIGS 박막을 제조한다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2009-10-14
Application Date
2007-10-29
Application Number
10-2007-0108989
Registration Date
2009-10-14
Registration Number
10-0922890-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/228329
Appears in Collection
MS-Patent(특허)
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