규화철코발트 나노와이어의 제조방법 및 이로부터 제조된규화철코발트 나노와이어 A Method for Fabricating Fe(1-x)CoxSi Nanowire and Fe(1-x)CoxSi Nanowire Prepared Thereby

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본 발명은 규화철코발트 나노와이어의 제조방법 및 이로부터 제조된 규화철코발트 나노와이어에 관한 것으로 보다 구체적으로는 촉매를 사용하지 않는 기상이송법(vapor-phase transport process)을 사용하는 것으로 할로겐화철 및 할로겐화코발트의 혼합물을 선구물질로 사용하고, 상기 선구물질을 기화하고 이를 비활성기체를 사용하여 실리콘 기판이 위치한 고온 영역으로 이동시키면 선구물질이 분해되어 실리콘 기판 상에 규화금속 나노와이어가 형성되는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 규화철코발트(Fe1-xCoxSi) 나노와이어는 구조적으로 불순물이 포함되지 않은 고순도 및 내부 결함 없는 고품질의 입방(cubic) B20구조 단결정 나노와이어이며, Fe, Co 및 Si가 완전고용체로 균질하게 분포되어 있다. 물성적으로는 헬리칼 스핀 정렬(helical spin order)을 가지는 강자성체(ferromagnetic material)이며, 큐리 온도(Tc; Curie temperature)이하에서 양(positive)의 자기저항(magnetoresistance)을 갖는 특징이 있다. 규화철코발트(Fe(1-x)CoxSi), 나노와이어(nanowire), 헬리칼 스핀(helical spin order), 자기저항(magnetoresistance)
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2008-07-03
Application Date
2007-05-22
Application Number
10-2007-0049752
Registration Date
2008-07-03
Registration Number
10-0845342-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/228195
Appears in Collection
CH-Patent(특허)
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