규화금속 나노선의 제조방법 및 이로부터 제조된 규화금속나노선A method for preparing metal silicide nanowires and metal silicide nanowires prepared thereby
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 김봉수 | ko |
| dc.contributor.author | 서관용 | ko |
| dc.contributor.author | 싯다르타 바라다즈 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-18T04:39:39Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-18T04:39:39Z | - |
| dc.date.issued | 2008-06-25 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/228124 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 규화금속 나노선의 제조방법 및 이로부터 제조된 규화금속 나노선에 관한 것으로 보다 구체적으로는 촉매를 사용하지 않는 기상이송법(vapor-phase transport process)을 사용하는 것으로 금속 선구물질을 기화하고 이를 비활성기체를 사용하여 실리콘 기판이 위치한 고온 영역으로 이동시키면 금속 선구물질이 분해되어 실리콘 기판 상에 규화금속 나노선이 형성되는 것을 특징으로 한다. 본 발명은 강자성 규화코발트(CoSi) 나노선, 규화철(Fe5Si3) 나노선 및 규화크롬(CrSi2) 나노선에 관한 것으로 상기 강자성 규화코발트 나노선은 초격자구조를 가지며, 음(negative)의 자기저항(magnetoresistance)값을 나타내는 특징이 있으며, 상기 규화철(Fe5Si3) 나노선은 상온에서 안정한 특징이 있고, 상기 규화크롬(CrSi2) 나노선은 반도체 특성을 나타낸다. | - |
| dc.title | 규화금속 나노선의 제조방법 및 이로부터 제조된 규화금속나노선 | - |
| dc.title.alternative | A method for preparing metal silicide nanowires and metal silicide nanowires prepared thereby | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 김봉수 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 서관용 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 싯다르타 바라다즈 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2007-0013465 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0842871-0000 | - |
| dc.date.application | 2007-02-09 | - |
| dc.date.registration | 2008-06-25 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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