규화금속 나노선의 제조방법 및 이로부터 제조된 규화금속나노선 A method for preparing metal silicide nanowires and metal silicide nanowires prepared thereby

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본 발명은 규화금속 나노선의 제조방법 및 이로부터 제조된 규화금속 나노선에 관한 것으로 보다 구체적으로는 촉매를 사용하지 않는 기상이송법(vapor-phase transport process)을 사용하는 것으로 금속 선구물질을 기화하고 이를 비활성기체를 사용하여 실리콘 기판이 위치한 고온 영역으로 이동시키면 금속 선구물질이 분해되어 실리콘 기판 상에 규화금속 나노선이 형성되는 것을 특징으로 한다. 본 발명은 강자성 규화코발트(CoSi) 나노선, 규화철(Fe5Si3) 나노선 및 규화크롬(CrSi2) 나노선에 관한 것으로 상기 강자성 규화코발트 나노선은 초격자구조를 가지며, 음(negative)의 자기저항(magnetoresistance)값을 나타내는 특징이 있으며, 상기 규화철(Fe5Si3) 나노선은 상온에서 안정한 특징이 있고, 상기 규화크롬(CrSi2) 나노선은 반도체 특성을 나타낸다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2008-06-25
Application Date
2007-02-09
Application Number
10-2007-0013465
Registration Date
2008-06-25
Registration Number
10-0842871-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/228124
Appears in Collection
CH-Patent(특허)
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