포토레지스트 형성용 화합물, 이를 포함하는 저분자포토레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법 COMPOUND FOR FORMING A PHOTORESIST, PHOTORESISTCOMPOSITION INCLUDING THE COMPOUND AND METHOD OFFORMING A PATTERN

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포토레지스트 형성용 화합물, 이를 포함하는 저분자 포토레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법에서, 상기 조성물은 환형 잔기를 갖는 화합물 7 내지 14 중량%와, 광산 발생제 0.1 내지 0.5 중량%와 여분의 유기 용매를 포함한다. 상기 저분자 포토레지스트 조성물은 환형 구조의 잔기를 기본 골격으로 하는 상기 화합물을 포함하고 있어 일반적으로 사용되는 저분자 포토레지스트 조성물의 장점을 갖는 동시에 기존의 포토레지스트 조성물에 비해 상대적으로 높은 내식각성을 갖는다.
Assignee
삼성전자주식회사,한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2007-10-19
Application Date
2006-10-31
Application Number
10-2006-0105989
Registration Date
2007-10-19
Registration Number
10-0770223-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/228044
Appears in Collection
CH-Patent(특허)
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