플래티늄 합금을 이용한 니켈 저마나이드 열 안정성 향상과 계면 물질을 통한 금속/게르마늄 접합의 쇼트키 장벽 높이 조절Thermal stability enhancement of NiGe using Pt alloy and Metal/Ge schottky barrier height control with interfacial layers

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Advisors
이석희researcherLee, Seok-Hee
Description
한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과,
Publisher
한국과학기술원
Issue Date
2012
Identifier
486802/325007  / 020103309
Language
kor
Description

학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 전기 및 전자공학과, 2012.2, [ vii, 67 p. ]

Keywords

니켈 저마나이드; 게르마늄 쇼트키 다이오드; 페르미 레벨 피닝; Ni germanide; Ge Schottky diode; Fermi level pinning; graphene; 그래핀

URI
http://hdl.handle.net/10203/180872
Link
http://library.kaist.ac.kr/search/detail/view.do?bibCtrlNo=486802&flag=dissertation
Appears in Collection
EE-Theses_Master(석사논문)
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