다결정 실리콘 씨앗층에서의 Hot-wire CVD 방법을 이용한 에피택셜 실리콘 성장에 관한 연구

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dc.contributor.authorAhn, Byung Tae-
dc.date.accessioned2013-03-27T02:10:07Z-
dc.date.available2013-03-27T02:10:07Z-
dc.date.created2012-02-06-
dc.date.issued2007-05-10-
dc.identifier.citation한국재료학회 춘계학술발표대회, v., no., pp. --
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/158170-
dc.languageKOR-
dc.title다결정 실리콘 씨앗층에서의 Hot-wire CVD 방법을 이용한 에피택셜 실리콘 성장에 관한 연구-
dc.typeConference-
dc.type.rimsCONF-
dc.citation.publicationname한국재료학회 춘계학술발표대회-
dc.identifier.conferencecountrySouth Korea-
dc.identifier.conferencecountrySouth Korea-
dc.contributor.localauthorAhn, Byung Tae-
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MS-Conference Papers(학술회의논문)
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